第367章 MOS(2/4)

这时候不怎么算的。MOS还有一个毛病是某个芯片一旦定型后，修改困难，修改成本很高。但对于高振东要做的事情来说，这个根本就不是问题。作为大规模使用的芯片，不论是逻辑门集成电路还是CPU、DRAM，都是定型了就不会随便修改，会大量量产的东西，所以这一点在这方面根本就不是问题。最重要的一点是，高振东清楚的知道，打从CPU和半导体存储器一开始，就没有双极型什么事儿，双极型做集成逻辑门电路是不错，但是用来做CPU和半导体存储器，根本用不上。或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。Intel4004，10μm的PMOS。8008，10μm的PMOS。首个4Kbit的DRAM，8μm的NMOS。首个16Kbit的DRAM，5μm的NMOS。大名鼎鼎的8086/8088，3μm的NMOS。彻底巩固了Intel数十年基业的80286，1.5μm的CMOS。至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。工序更少、工艺更简单、良品率更高对于量产来说，这些特么可都是钱呐！而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的MOS甚至要比双极型要低。MOS技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。在同代次内，更改MOS电路的设计，对于MOS的工艺没有任何影响，MOS电路的性能的改变，是通过改变MOS场效应管的几何设计来实现的。双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是MOS电路就不，它的工艺是不变的。而且这种改变几何设计就